[用OTCS方法测量半绝缘INPFe中的深能级]邵丽梅

【用OTCS方法测量半绝缘INPFe中的深能级】邵丽梅.pdf题目:用oTCS方法测半绝缘LnP:Fe中的深能级 邵丽梅 指寻教师:刘明一—、提要 东文用光激瞬态电流谱iOTCS)片法测半绝缘 InP:Fe中的深能级。讨论oTc5动力学模型中的近价.并对其测试过程进行了分析,主要探讨了光强和电压 对OTCS测试的影响。在低温下,用强光测得InP:Fe 中存在ET=0ev的电子陷阱加ET=1ev的空陷阱 ET=0ev的电子陷阱的oTCS峰,光强增大,峰 的位置向高温方向移动,不同的光强下测得的的也 不同,我们从光的强度影向深能级的填充率对印进 行了理论修正,实验业发现经修正后误差大大减小了.用不同大小的电压测ET=0.(opticaily datecled muanel xeSonanca;oDMk)0各种光1谱方法.yabsyptoa; Ap) 发光(Luminescen ce)。(ii) 结谱技术方法。如深能级瞬态谱(de2?leve!transitiant ODLTS{4),光激瞬态.电流谱(opticalDlTS;(opticaltransitiant Current SpectroscoPy; oTcs 光电客(ph。to,Capacitance)等.其它如光电导(photo conductivity.
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