【紫外激光刻蚀】刘军.pdf
题目 紫外激光刻蚀 作者 刘军 导师 张玉书 专业 半导体物理与器件
月录 一.引言 二.紫外激光刻蚀发展概况 1.激光诱导湿刻 2.激光诱导干法刻蚀 3.激光APD 三.PI紫外激光APD刻蚀(一)聚合物紫外激光APD原理 12 1.光化学模型 13 2.APD动力学过程 3.生成物屏蔽效应(二)实验及测量(三)实验结果与讨论.8.阔值能量密度b.刻蚀速率.21 c.刻蚀分辨率 d.APD刻蚀结束语 29 四.InP的准分子激光诱导刻蚀 30(一)半导体激光诱导刻蚀的基本原理 1.气体激活2.气体与样品间相互作用 3.
一:引 言 随着大规模集成电路和集成光学的发展,对微细加互 技术提出了越来越高的要求,如:图形精细化、过程低温 化、掺杂薄层化及可控性优化等。 1]激光微细加互技术 就是适应这一要求而在最近几年发展起来的一种新技术,微细加互主要包括曝光、CVD、掺杂、刻蚀等几个方面,从图1中可以看出激光微细加互的特殊地位.光刻:1 紫外曝光 电子束曝光 -激光骤光 掩膜:-热分解CVD 等商子体CVD -激光CVD 掺杂:-热扩 离子注入 激光热杂 刻蚀:化学府蚀 等商子刻蚀 激光刻蚀 图1.