【半导体激光器工艺技术研究】李玉德.pdf
题中文 半导侍激光器工艺技术研究 目 外文 Studies for Fabrication Processing of semiconductorLasers.
提 要 本文对工G的上激光器的液相外延方法 InP、LGa脉P晶格失配度和依的关系进行了研究.还对 P型杂浓度对LGa压P/Lp激光器的阀值 电流密度的影响做了摸索,最后部分研究了 真空烧结工艺中电电流,电方式和真空烧结 质的失系。
2页 相外延发展到气相外延、分子束外延、金属有机化学汽相淀 积.各种各样的结构目的在于获得低值、高功率、基横模 的激光器.液相外延由于工艺稳定、造价低以及二次外延技 术的发展,仍然成为激光器制作的主要手段.我们用滚相外延方法对工疝乐P/工外激光器进行了研究.整个研究过程以宽接触融激光四为研充对象,最后对外延片 淀积SiM4膜作掩膜,做成余完为I5Mm的激光器,测试 了阀值电流 国外对宽接角出激光四和氣化拘条形,质子轰击条形 激光器的研究较早。Y.Itaya等人197 9年报道了利 用缓慢冷却速率的两相法,在LP衬底生长0 Mm 的均匀有源层.他们在630℃下用 6.