【氯化物UPE法外延生长INPGAAS特性的研究】张宝林.pdf
专业:单与体物理与制丹 体:浙宝郴 指导效师:刘明登数授
一一 要 InPGaA:异质结构复合材料在光电集成和微波器件的应用方面具 有广泛的前景,我们采用氯化物VPE法研究了这种异质结构的生长特 性,通过采用周态InP源和混合源(InP固态源+In饱合源)调整了外延 层中InP比值:生长出近化学计量比和富P的InP外延层。在向<110=偏4的GaAs衬底上生长的InP外延层,表面如镜,界面平直 室温电子迁移室为300cn²v.s。低温(10K)光致发光测量,在880 nm处得光子能量为1ev的近带边激子,半24meV,界 对外延生长体系进行了热力学分析,并分析了异质结界面晶格失 提 高应力约为i1nca。
而Gas路谷比随温度升高而逐步减小,由于材 InP x, X5 K K 1能带结图 介电常敬纸军特占,在高物、高速、红外、微政、光电等领域占有显著的地位,并逐步在集成电路,如单片微波集成中得到应用.和gAs一祥.InP司洋具有直接带谅阳闪锌矿结构,如图1一2所 示,并具有其独特的性质,使其更适台于制作微波器件及光电器件:(a)与Gaas相比InP的速场特性,有较高的隆谷比(InP大于 3:1.Ga仅为2:1)且与环境温度(300.459K)几乎元关,料的路谷比是与体效应振荡器的效率直接相关的,所以高温下InP微 二场管的性能退化比Gaas器件要少:此外InP的热导比GaAs