【类氖等电子序列的高激发态结构J＝02奇宇称】崔启志.pdf

题中文类等电子序列的高发态结构(丁=0、2,奇宇称) 目外文 TEHTGHLY -EXCITED STATE STRUCTURF OF MHE NEON ISCELECTRGNTC SEOUENCE FCR J=,2ANDODDPARITY 专业原子与分子物理作指导教师_王治文教授

提要本文用本征通道量子亏损理论(EDT) 研究了丁=0、2,奇宇称情况下的类亮等电子序列的高激发态结构。给出了NeI一VZIV 的本征量子亏损参数(μa、U;α)和NeI的 2pns与2pnd两个组态的全部Rydberg能级和混合系数,并将此结果与实验能级进行了比较。结果表明,我们计算的精度一般在 0一6数量级上,最高可达10？,我们的结果将进一步丰富和完善类等电子序列原子的基本数据库。

一个强有力的理论工具.NeI的2p5(2Pz,x)nS、J=1和2p5(²Ps,)nP、J=O两通道Rybe9系列,并计算了它们两者间的跃迁线强,与实验吻合很好.1976年K.T.Lu等人[20]用此理论研究了 NI等电子序列的2P(2Px)nS、J=1两通道问题,给出本征量子亏损之差和混合角日随有效核电荷数的变化。以上研究均忽略了 ns、nd通道相互作用.1985年k.Harh等人[2用此理论,并将 NeI的2Pns和2Pnd组态相互作用考虑进去,计算了NeI的丁=O、1奇宇称情况下的本征量子亏损参数.1988年,Z.W.Wang 和Y.