[直流辉光放电PCVD方法生长金刚石薄膜的生长特性研究]钱革非

【直流辉光放电PCVD方法生长金刚石薄膜的生长特性研究】钱革非.pdf直流辉光放电PCVD方法 生长金刚石薄膜的 生长特性研究 专业:凝聚态物理 钱革非 指导教师:邹广田教授 金曾孙教授目录 摘要 前言 实验方法和实验条件 三、研究内容 四、金刚石薄膜的成核密度及生长特性 五、简单讨论 六、致谢 七、参考文献吉林大学硕士学位论文 小于i0-μm/hr)与当今发展的各种CVD合成方法 的速度(1～10²μm/hr)无法比拟,但它指明了一个方向:要有处于激发态的含碳基团的存在,而 且衬底温度在1000℃左右,六十年代末发展起来 的化学输运法(ChemicalTransportReaction,简称CTR方法)及七十年代在理论方面的工作,为 后未的发展奠定了基础。在八十年代初期所取得 的突破性进展引起了人们的浓厚的兴趣。现在,入们已经发展了许多方法在衬底上合成出了金刚 石多晶薄膜,速度一般在1μm/hr量级以上,最 高已达930μm/hr,1、金刚石的结构与性质 金刚百有立方金刚石和六方金刚石两
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