【直流等离子体化学气相沉积方法合成金刚石薄膜】祈山.pdf

嘉林大学直流等离子体化学气相沉积方法合成金刚石薄膜专业:凝聚态物理祁山导师:邹广田金曾孙

摘要本文采用直流等离子体化学气相沉积方法,以甲烷和气气为气体原料;在单晶硅板上制备出舍刚石薄膜,对其进行了扫描电镜观察及拉曼光语测是,确完了金刚石膜的特性,总结出全刚石膜的一些生长想律.结界表明,用此方法合成的金刚石膜为多晶结构,微晶的晶面多数为和而,拉曼光谱的特征与天然金刚石本一致。金刚石膜的须是与沉积祭件密切相关,在低的甲烷浓族条伴下,客易形成晶形比较完馨的微晶舍刚的膜,当甲浓度过高,则亮易形成非金刚石结构的碳膜。基板温度只有在一定范围(70071C0℃)内形成全刚石。电流密度的提高有利于全刚在膜的生长.

间,他们在全刚石晶种上实现了全刚石的外延生长,只是生长達度很慢(0muh)4-7} 到196争:美同和苏联同时采用化学气相沉积法制备生美全刚右薄膜8),美回在1970年用离子束沉然技术别备类全刚石落膜必获得成功(9},在1976年前后,又有人采用等离子体气相沉积技术合成生美全刚石膜《川。尽管如此,进展仍是非常缓慢的,固为采用这些投术所得到的那美全刚石膜仅是碳膜,只是在茶些方面,其性能与含刚石很相近.这期间各国都没有取得突破性进展.他们在密闭余统内采用化学输运仅知方法在非金刚石基衣如铜,全上生长生金刚石后,日本、美同等回家相继用各种方法划备出金刚石荡膜。