[光敏半导体材料表面光电压谱研究]梁月霞

【光敏半导体材料表面光电压谱研究】梁月霞.pdf题目:光敏半导体材料表面光电压谱研究 专业:光化学 梁月霞 指导教师:李铁津、肖良质摘要:本文在阐述半导体材料表面光电化生原理及慢 原理的基础么,用表面光电飞清方法重点开展了以下三污 面的研充己作:1、2TPP对T0物末的光渗敏化 2.O.比L啶与N:Pc1间的电描转移 3.CuTsPc.CuPc白湿敏特性 突红发现,用ZnTP似饰的Ti0粉未在可吃区420um附近有三个双比光大响应带,它们分别对 于2uTPPb Sovet.Q(1,0)、(Q带,1同n时i证关 这-技术是研充半导体材料光双化的一种方使、灵敏 快逢的研充方法。安外,我们百次用表面光电化酒法 观交到了MPc在450um时近有一弱的光伏响应带,的在在可使这一带离天甚至发生反转。第/页 引言:早在1876年W.G.Adams 就发现了固体表面的光 伏双江这一现象“”。然而,直到什48年开拓了半导体 材料料孝领域后,才将这一效应作为完谱检技术用 于半导体材料的特征参数和表面物性研究上2。这种 光谱技术就称表面光伏技术(SurfacePhotovoltage Technique,简称SPV技术)或表面光电谱(Surface Photo- VoltageSpectroscopy,简称PS)到了60年代,PV投术得到了泛应用,人们借助 SPV技术研究半导体材料的表面态性质[3,4].测定半导 体的少子扩散长5。
———— 文字由OCR识别(未校验)，可能存在错字；请以原始完整版为准。