【光敏半导体材料表面光电压谱研究】梁月霞.pdf

题目:光敏半导体材料表面光电压谱研究专业:光化学梁月霞指导教师:李铁津、肖良质

摘要:本文在阐述半导体材料表面光电化生原理及慢原理的基础么,用表面光电飞清方法重点开展了以下三污面的研充己作:1、2TPP对T0物末的光渗敏化 2.O.比L啶与N:Pc1间的电描转移 3.CuTsPc.CuPc白湿敏特性突红发现,用ZnTP似饰的Ti0粉未在可吃区420um附近有三个双比光大响应带,它们分别对于2uTPPb Sovet.Q(1,0)、(Q带,1同n时i证关这-技术是研充半导体材料光双化的一种方使、灵敏快逢的研充方法。安外,我们百次用表面光电化酒法观交到了MPc在450um时近有一弱的光伏响应带,的在在可使这一带离天甚至发生反转。

第/页引言:早在1876年W.G.Adams 就发现了固体表面的光伏双江这一现象“”。然而,直到什48年开拓了半导体材料料孝领域后,才将这一效应作为完谱检技术用于半导体材料的特征参数和表面物性研究上2。这种光谱技术就称表面光伏技术(SurfacePhotovoltage Technique,简称SPV技术)或表面光电谱(Surface Photo- VoltageSpectroscopy,简称PS)到了60年代,PV投术得到了泛应用,人们借助 SPV技术研究半导体材料的表面态性质[3,4].测定半导体的少子扩散长5。