【直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜生长特性及内应力研究】胡航.pdf
教授 副教授 直流热阴极PCVL公制备金刚石厚膜 生长特性及内应力研究 胡航 导师:金:孙 姜志刚 专业:凝聚态物理 2000年6月
六林大学硕十学位论文 5。44IⅡ IⅡ 目录 S3直流热阴极法生长金刚石厚膜表面结晶特性的研究。17 第四章不同生长条件下对金刚石厚膜内应力的研究 S1金刚石膜的性质及应用领域.S1气相合成金刚石膜的生长机理简介 S1金刚石膜研究的近期发展.S1论文选题和主要研究内容.第二章直流热阴级PCVD法制备金刚石厚膜 S2实验装置和工艺简介.S2直流热阴极气体放电特性.第三章金刚石厚膜的生长特性 S3不同条件对金刚石厚膜生长速率的影响.S3.
古林大学硕主学位论文 金刚石 5 52x10 3×10°.10Q.cm 10/cm 2200cm/v.sec 1600cm/V.sec 5 5ev 2x10cm/sec Sic 2 92×10 4×10° 4 2.电子学性能方面(表1),突出的表现在它的宽禁 表1金刚石的电子性质 表1金刚石和几种典型半导体材料的电学性质 GaAs 12x10 4×10 0 件及其它部件,在机械加工领域应用广泛.