[高功率1.55um量子阱InGaAsPInP集成超辐射光源的研制]刘扬

【高功率1.55um量子阱InGaAsPInP集成超辐射光源的研制】刘扬.pdf单位代码:10183 号:970506 学 吉林大学博士学位论文 刘扬吉林大学博士学位论文一提要 提要 本论文的主要工作是设计并研制了高功率、宽光谱1um量子阱 为了克服传统超辐射发光器件输出功率低的缺点,本论文将超辐射发光 管(SLD)和半导体光放大器(SOA)通过直接耦合的方式单片集成,并对该集 成器件进行结构优化设计。针对倾斜型器件解理腔面间的振荡激射问题,采 用了三种解决方案,都成功地抑制了振荡激射的发生,从而有效地提高了超 辐射输出功率。在相对较低的电流注入下最高脉冲输出功率达到300mW以 上,这一结果是目前在同样电流注入下已知国内外报导的最好水平。吉林大学博士学位论文一目录 3关于抑制倾斜型器件腔面间振荡激射的研究-2方案一:通过优化张角和倾角来抑制激射 3-3方案二:通过引入脊形波导来抑制激射 3-4方案三:通过引入减反槽来抑制激射 3倾斜型集成超辐射光源器件特性的研究 4超辐射发光器件的动力学理论基础 4适合于集成超辐射光源的理论模型的建立 4.
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