【单片集成长波长光接收机和InAlAInGaAs增强型高电子迁移率晶体管研究】敖金平.pdf
密级:内部 单片集成长波长光接收机和InAIAs/InGaAs 增强型高电子迁移率晶体管研究 敖金平 梁春广院士信息产业部电子第十三研究所 2000年5月 指导教师姓名:刘式墉教授吉林大学 专业名称:微电子学与固体电子学 分类号:TN432 论文答辩日期:授予学位日期:答辩委员会主席:论文评阅人
提要 值电压的精确控制,高精度NiCr薄膜电阻的制作,MIM电容的制作等关键 技术。InAlAs/InGaAsHEMT宽带前置放大器的跨阻增益和-3dB带宽分别为 47dBQ和7GHz,输入等效噪声电流密度为15P4/√Hz,可满足10Gb/s 单电源电路功耗低,使用方便,但一般用增强型器件来实现。增强型 器件对國值电压的控制精度要求高,工艺宽容性小,而且由子InAlAs上势 垒高度低的原因,用InP基InAlAs/InGaAsHEMT很难实现增强工作模式.作者首次提出了基于耗尽型InAlAs/InGaAsHEMT器件的单电源跨阻型放大 器电路。
48-67录目 3InAIAs/InGaAsHEMT宽带跨阻型前置放大器的表征3InAlAs/InGaAs/InPHEMT结构及其性能的表征 3InAIAs/InGaAsHEMT宽带跨阻型前置放大器 3单电源InAIAs/InGaAsHEMT前置放大器.第四章单片集成MSM/HEMT长波长光接收机 4.