【高功率量子阱远结半导体激光器研究】齐丽云.pdf
分类号:TN248 密级:内部 高功率量子阱远结半导体激光器研究 齐丽云 指导教师:高鼎三 院士(吉林大学)石家纬 教授(吉林大学) 专业名称:微电子学与固体电子学 论文答辩日期:学位授予日期:答辩委员会主席:论文评阅人:二000年五月 长春
齐丽云:吉林大学博士学位论文-日录目 第一章高功率量子阱AIGaAs/GaAs半导体激光器研究综述 1半导体激光器的发展概述 .1 2高功率AlGaAs/GaAs半导体激光器的应用研究 .1 半导体激光器的退化和失效 1 工作环境对器件退化的影响 有源区内缺陷形成和堆积引起的器件退化1 腔面损伤引起的器件退化和失效1 非辐射复合与内部吸收对器件退化的影响 1 电流限制结的退化1 欧姆接触及焊料的退化.1 高功率高可靠性量子阱半导体激光器的研究进展 1本论文的主要工作.
齐丽云:吉林大学博士学位论文一目录 5截距b.5初始峰S5高功率AlGaAs/GaAs半导体激光器电导数测试.5器件结构和电导数测试 5高功率半导体激光器电导数参数的特性5高功率半导体激光器电导数参数与器件可靠性关系S5高功率半导体激光器电导数曲线上的峰与 器件可靠性关系研究 5引言5反向峰 5向下同向峰5向上同向峰.5峰与器件可靠性关系5小结.