【含氮直拉硅单晶的氮氧杂质浅施主研究】.pdf
要 硅是目前应用得最广泛、研究得最成熟的元素半导体,二十世纪的半导体工 业几乎都是建立在硅材料基础上的,可以预见,二十一世纪硅的技术还将进一步 发展,直拉硅单晶是硅材料的主导产品,其制备方法决定了大量氧杂质不可避免 地引人其中,氧在硅中引发两种形式的浅热施主态:热施主TD与新施主ND,它们对硅材料的性能有严重的影响,几十年来一直是人们关注的焦点.以减压充氮方法生产直拉硅单品是我国在八十年代中期首创的技术.这种含 氮直拉硅单晶(NCZ-Si)具有低成本、低碳含量、低微缺陷和高机械强度等优点,具有较大的应用潜力、引起了人们高度的重视.
Abstract Silicon isthe widely utilized and deeplyinvestigated elemental semiconductor.Almost all the semiconductor industry inthe twentieth century bases on silicon materials.lt is speculated that the technology of silicon would develop increasingly in the forthcoming twenty first centuries.
谨以此文献给我所热爱的科学事业！