【越高真空CVD生长SiGe材料的特性初步研究】.pdf
谨以此文 献给我的父亲母亲 谁言寸草心 报得三春晖 黄靖云
浙 江 大学 项 古 学 位 论 文 1997,§6 组分.S6 生长速率第三部分理论研究.第七章Si1-xGex/Si异质结构中热应力对临界厚度的影响.7 应变层临界厚度定义S7 人们对临界厚度的研究 S7 现在的理论计算.S7 结果与讨论 第八章 利用UHV/CVD系统外延Si1-xGex合金表面偏析研究 表面和偏析 引言 S8 实验及测量 8 结果与讨论 结论.第九章 UHV/CVD系统外延Sil-xGex/Si过渡区特性分析 9.
浙 江大学硕士学位论文1997,ABSTRACT Si-xGex/Siheterostructuresandsuperlatticeareakindofnewattractive semiconductormaterialsforpotentialapplicationsinmicro-electronicandphoto electronic devices.It is named“new silicon material”because SiGe technology is compatible with perfect silicon technology.