【低磁场下减压充氮直拉硅单晶中氧的控制】.pdf
浙江大学硕士学位论文 1996,6 目录 前言.第一章 硅中的氧和碳 .1 引言 1 硅中的氧.S1 硅中的碳 S1 本论文的意义 第二章 硅晶体生长中磁场的应用.S2 S2 基本原理 S2 国内外研究概况 S2MCZ生长的应用 2 第三章 磁控直拉硅单晶的设备及调试 §3 TDR-50AC型单晶炉 3 磁场的生成及选择 3 设备调试 第四章 单晶的制备和测试 S4 单晶生长.晶片的预处理及测试.第五章 结果与分析 实验结果5晶体中氧浓度分析.5其它.
浙江大学硕士学位论文1996,6 ABSTRACT Thevitalfunction ofoxygenin silicon crystalis summarizedin this paper,theimportancetocontroloxygenconcentrationinsilicon crystalis described.The application of a magneticfieldto silicon crystalgrowth meltsin order to controlmeltflow andtherebydopant distribution on both mac
浙江大学硕士学位论文1997,6 技术为手段,以氮气作为保护气氛进行.许多研究表明硅中的氧对硅单晶的质 量有着特殊重要性,目前LSI及VLSI对硅单晶的要求主要在权衡氧的作用,如热 生施主效应可使电阻率漂移,改变MOS器件的阔值并影响驱动电流,但氧又可以 增加硅片的抗弯曲能力.氧沉淀及其诱生的微缺陷具有有效的内吸除作用,但 氧沉淀又可使氧含量降低,从而影响硅片的机械性能。鉴于此,所以控制氧含 量及其分布是当前硅材料研究的重要课题,本论文就是以控制硅中的氧含量为 主要目的,期望通过施加低强度的磁场,降低硅中的氧含量,进而通过改变所 加磁场大小,使硅单晶中的氧含量达到可控的目的。