【用反应蒸发法制备纳米硅-二氧化硅薄膜】.pdf

誉目致谢.摘要 ABSTRACT.第一章引言 S1现有的半导体发光材料与器件的发展状况 S1硅发光的研究现状半导体纳米薄膜结构特征及对.光学性能的影响 S1硅-二氧化硅的研究进展.第二章实验部分.真空蒸发原理 S2薄膜的制作.第三章薄膜的结构、成分测试 S3X射线衍射分析.S3X光电子能谱分析.S3红外.分析 S3台阶仪测厚及生长速率第四章结果与讨论 S4衬底温度对nmSi-SiO.薄膜的结构和组分的影响27 4.

摘要随着Si基光电子集成及发光二极管(LED)平面彩色显示等高速发展的要求,Si基器件的发光成为光电子工业的一个重要的研究领域.体单晶硅由于其间接能隙、固有的低辐射复合率等缺点而极大限制了作为发光材料的应用,近来,nmSi-Si0x(x<2)即富硅二氧化硅薄膜越来越引起人们的极大兴趣,因为它不仅存在纳米级硅微粒(量子点)的量子尺寸效应发光,而且还有与Si02有关的缺陷的发光,无论从发光效率、稳定性及工艺简单方面都有极大的优越性.本文首次用真空反应蒸发的方法制备了nmSi-Si0x薄膜,然后对样品进行了热处理。

浙江大学硕士论文用纸第一章引言自人类进人信息社会以来,信息的处理(传递、处理、存储、显示)在现代科学技术中占有的地位越来越显著。过去的信息处理技术偏重于电行为,而现在的信息处理的各个环节愈来愈多地依靠光行为.1现有的半导体发光材料与器件的发展状况半导体发光器件自1907年Roud报导当电流通过碳化硅检波器时有黄光产生以来便得到了迅猛的发展,1974年后LED(发光二极管)的产量更是每年以等比数列翻番增长[1],在其巨大的商业背景之后有其本身具有的许多特点:1.工作电压低(1-2ev),耗电量小每一发光单元在不到10mA电流下,室内即能获得足够的亮度。