[用反应蒸发法制备纳米硅-二氧化硅薄膜]

【用反应蒸发法制备纳米硅-二氧化硅薄膜】.pdf誉目 致谢.摘要 ABSTRACT.第一章引言 S1现有的半导体发光材料与器件的发展状况 S1硅发光的研究现状半导体纳米薄膜结构特征及对.光学性能的影响 S1硅-二氧化硅的研究进展.第二章实验部分.真空蒸发原理 S2薄膜的制作.第三章薄膜的结构、成分测试 S3X射线衍射分析.S3X光电子能谱分析.S3红外.分析 S3台阶仪测厚及生长速率 第四章结果与讨论 S4衬底温度对nmSi-SiO.薄膜的结构和组分的影响27 4.摘要 随着Si基光电子集成及发光二极管(LED)平面彩色显示等高速发展 的要求,Si基器件的发光成为光电子工业的一个重要的研究领域.体单晶硅由于其间接能隙、固有的低辐射复合率等缺点而极大限制 了作为发光材料的应用,近来,nmSi-Si0x(x
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