【磁控直拉硅单晶氧化堆垛层错研究】.pdf
浙江大学硬土学位论文 目 摘要 前言 第一部分文献综述 第一章氧化堆垛层错的概述及其研究意义 1 研究氧化堆垛层错的重要性和必要性 1 OSF简介 §1 OSF的生长机制 51OSF的检测方法第二章 磁控直拉硅单晶概述 2 直拉硅单品简介2 集成电路对硅单晶的要求 §2 磁场中直拉硅单晶工艺技术简介 2 磁场的作用 2 氮气氛的磁控直拉硅单品问题 第二部分 实验过程 第三章 MCZ硅单晶的拉制和测试 § 3 TDR-50AC磁控炉简介.§3 磁场强度和电场强度关系的测定 充氮减压MCZ硅单晶的拉制 § 3 取样及制样 3.
浙江大学硕士学位论文 ABSTRACT Silicon is the major semiconductor materal used in solid-state electronics.To keep pace withthe growthintegrated ciruit size and comlexity,siconhastobepreared in single-crystal form with continued increases in size and improvements in perfection.
浙江大学硕士学位论文 内在质量和微缺陷状况,希望能够得到一些有益的结论,以理论指导实践,改 进原先的CZ法生产工艺。