【绝缘栅双极晶体管IGBT的研究-静态动态和终端模型及优化设计】.pdf

论文题目:绝缘栅双极晶体管(IGBT)的研究静态、动态和终端模型及优化设计中文摘要 Ⅱ 英文摘要第一章绪论 1 电力电子技术的发展概述 1 功率半导体器件的发展综述 1 功率二极管 1 双极性功率器件 1 功率场效应器件 1 双极/FET复合功率器件 1 功率集成电路(PIC) 1 IGBT的发展综述 1 论文选题的背景第二章 IGBT的工作原理及其特性的一般研究 .2 IGBT的工作原理 2 IGBT的通态特性 .2 IGBT的开关特性 2 IGBT的门锁效应 2 IGBT的安全工作区 2.

7N+阴极区、P+阱和P的优化设计.7元胞几何参数的优化设计7IGBT的版图设计57元胞尺寸的设计 7高压终端的设计 7版图总体布局的设计126 第八章IGBT工艺实验及结果分析 8 IGBT的工艺流程介绍8IGBT的工艺模拟及工艺条件的确定8 IGBT的工艺研究.8 IGBT的实验结果及讨论第九章IGBT的可靠性和应用的一般研究.9 可靠性基本原理简介 .9 IGBT失效的研究 .9.

设计,从中可以看出1GBT的版图设计要考虑到工艺水平的限制,而且版图总体布局的设计也是十分重要的.在第八章本文首先介绍了IGBT的工艺流程,接着根据所设计的工艺参数,进行计算机工艺模拟以确定工艺条件。鉴于影响IGBT器件成品率的主要因素是栅合格率,本文对影响栅合格率的主要工艺进行了研究,找到了解决办法。通过实验获得了预期的结果,证明了本文所建立了理论模型是正确的、合理的.器件的可靠性是应用的基础,通过对影响器件可靠性的主要失效机理的研究,可为我们从制造工艺上采取措施,以利进一步提高器件的可靠性找到依据。