【超高真空CVD低温外延与硅外延层性能研究】.pdf
浙江大学硕士研究生学位论文 摘要 为了获得性能优异的器件,要求外延层与衬底的杂质分布陡哨,近几年 来,在硅基器件制造技术中,硅低温外延发展迅速。目前主要的硅低温外延 方法有:分子束外延(MBE)、超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)、等 离子增强化学气相淀积(PECVD)和光增强化学气相淀积(P一CVD)其 中,UHV/CVD是最有发展前途的.因为它可获得均匀且晶格更完整的外延 本文首先介绍了自行研制的国内第一台超高真空CVD系统,其本底真 空达10-9Torr.然后对电阻丝辐射加热装置及其传热规律进行了探讨.采用 UHV/CVD外延技术进行了有关硅低温同质外延研究。
3浙江大学硕士研究生学位论文 目录 第二章硅外延及其研究进展(文献综述)2硅低温外延种类及研究现状 2影响外延层质量的因素及外延层的评价 UHV/CVD硅低温外延原理 硅烷热分解外延生长原理 UHV/CVD硅低温外延动力学 4UHV/CVD系统中电阻丝辐射加热方式的研究 第五章UHV/CVD硅低温外延工艺及外延片性能测试 实验所用衬底型号及外延生长参数 外延层表面形貌测试结果及分析 6外延层晶体结构TEM评价及其分析 6.
常规硅外延工艺的这些先犬性的缺陷,严重限制了它在更小、更快的器件和电路中的应用,也不能应用于高性能双极型晶体管和可 补MOS器件。因此、多年来人们一直致力于发展硅低温外延.究竞什么是低温外延生长？早期认为,以合理的生长速率及比标 准方法低100℃以上的温度下实现外延,就可列人这个范畴,近来,就硅外延来说,低温指<850℃,温度低于850℃时,杂质在硅中的 固相扩散、杂质的蒸发等都极大地减少、水蒸汽压也低,同时由于生 长速率低,吸附的杂质有时间来得及解吸,所以自掺杂问题基本解 决。但要在<850C温度下获得与高温外延同样晶体质量的外延层是 相当困难的。[wshop_paid show_buy_btn="true"]