【减压氮气氛保护重掺锑CZ硅单晶生长研究】.pdf

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减压氮气氛保护 重掺CZ硅单晶 生长研究浙江大学硕士学位论文 目录 致谢 摘要 前言 第一章重掺Sb硅单晶文献综述 引言 一、锑从熔硅的蒸发 二、锑的分凝特性及单晶中的杂质分布 三、重掺Sb硅单晶中氧的行为 四、重掺Sb硅单晶中的微缺陷 五、重掺Sb硅单晶特性总结 第二章锑的性质及锑球加工工艺 引言 一、锑的一般性质 二、纯锑的蒸气压 三、硅单晶的锑掺杂量 四、锑球加工工艺 第三章重掺Sb硅单晶生长实验 引言 一、减压氨保护硅单晶生长及重掺单晶的生长 二、重掺Sb硅单晶的生长条件理论分析 三、重掺Sb硅单晶生长实验 四、单晶电阻率分布及分析 1、单晶纵向电阻率分布及分析 2、单晶径向电阻率分布及分析 五、结论及工艺改进的探讨图表目录 图1 用横向微观生长模型(LUG)解释 杂质条纹(tyPe-II)产生的机理 图1 杂质条纹tyPe-I.tyPe-II相交 而形成羽毛状条纹 图1 CZ硅固-液界面的横向微观生长模型 轴向生长速率V和横向微观生长速率 V之间有如下关系:V=V(cotθcosa+sina) 若生长方向与<111>方向平行,则 V=V.cotθ 图1a,n-type(Sb-doped)硅片的掺杂量 与微缺陷浓度的关系 b.P-tyPe(B-doPed)硅片的掺杂量 与微缺陷浓度的关系 图1.