【硅烷流态床CVD法制氮化硅超细粉体】.pdf

浙江大学硕士学位论文摘要硅烷CVD技术是制备现代电子材料和一系列功能材料的基础。本论文通过对硅烷-氨系CVD反应机理以及流态床传热、传质过程的分析,探索了硅烷流态床CVD制取高纯氮化硅超细粉的可行性.论文调研了近年氮化硅超细粉体研究与开发概况,评述了各种制备方法和制得的粉体的性质。设计了一套直径40mm、高850mm的硅烷流态床实验装置,采用粒径为150～300um的硅粒作硅烷/氨混合气传热载体。在床层温度为450～650℃,反应器最高温度为650～850°℃条件下进行实验。研究了不同反应条件(反应温度、NHs/SiH4比、气体流量、放与不放硅粒等)对制备粉体的影响。

浙江大学硕士学位论文目录摘要第一章前言第二章氮化硅研究发展趋势及现状 2 氮化硅陶瓷的应用与前景展望 2 氮化硅超细粉制备及方法评估2 选题及研究方向第三章硅烷CVD合成氮化硅的基本过程3 硅烷分解.3 氨分解.3 硅烷CVD合成氮化硅的热力学分析第四章硅烷流态床CVD法制氮化硅超细粉.4 流态床的基本原理.4 流态床中的传热4 硅烷流态床CVD技术第五章氮化硅粉体的制备与测试.5 粉体制备5 样品测试

浙江大学是有时了温.高张这等优于善道陷笑一性能,因此鞋基起细粉体开的引红人们 m兴趣。美国从工T,加州学都已积极展开研完,日本更是重祝,砍在,人们已能制各纳素的S.SisM.SiC越加扮体,但教大大现模生产还有距离.由上可见,硅烷的应用是相当广泛的,随着交科教以发展,它潜在心用途必将鼓可发。利用破烷CVD拉术制得m氧化致薄层习作为半导体叶件像薄胜、抗氧化薄膜、太阳电它的抗反射房、半释体记忆嚣伴》基体等;起向氧他弱粉除在精密陶爱方面的重要用途外.还能闭于忆外破璃.隐身深层.无电敬感之件每;超彻破扮还有发它效应。