[非晶硅薄膜的制备及其对提高非晶硅液晶光阀性能的影响]

【非晶硅薄膜的制备及其对提高非晶硅液晶光阀性能的影响】.pdf1996-JX1612-509-4 摘要 本论文全面介绍和回顾了液晶光阀的工作原理,非晶硅材料的基本性能以及 当前非晶硅液晶光阀的研究与发展 研究了非晶硅薄膜的沉积工艺条件对薄膜的光电、结构性能的影响关系,探 讨了反应室中薄膜的沉积机理,确定出在现有的设备条件下,沉积出非晶硅液晶 光阀光导层材料用的非晶硅薄膜的最佳沉积工艺参数为:衬底温度250.300℃.射频电流50mA.气体流量40ml/min.电极间距35mm; 研究了非晶硅光导层与CdTe阻光层之间的结构匹配关系,在上述工艺条件 下,制备出了结构致密度高,与CdTe阻光层之间匹配良好的非晶硅光导层。浙江大学硕士学位论文 目录 第一章引言 第二章文献综述 2液晶光阀的基本结构及其工作原理 2液晶光阀的基本结构 2液晶光阀的主要工作模式及原理 2液晶光阀的光导层光电导原理及光导层在光阀中的作用 2非晶硅材料的基本性能非晶硅作为液晶光阀光导层的研制与发展:第三章非晶硅薄膜的制备及其机理探讨 3引言 3实验设备及原料 3实验设备 3原料 3测试方法 3沉积速率 3红外吸收光谱 3可见光吸收谱 3电导率的测试 3电容量的测量 3非晶硅薄膜的光电性能研究 3.1996X1612-609-3 非品对荷膜的制备及其 对提高非点硅点老阔性能的影响 开题挨告 无机9硕寿理理
———— 文字由OCR识别(未校验)，可能存在错字；请以原始完整版为准。