【硅片直接键合及其界面特性的研究】.pdf

浙江大学硕士学位论文 I 致谢本课题为国家自然科学基金和浙江省自然科学基金资助项目,它是在钱照明教授自始至终的悉心指导下进行和完成的,值此论文完成之际,谨向恩师表示衷心的感谢.钱教授渊博的知识、严谨的治学和正直的为人使学生受益匪浅.刘宏岩、叶挺秀老师的热情指导和积极参与,为本人开阔思路提供了不少有益的启示.本研究所阮苏苏、赵丽娟、吕征宇、袁挚虞、李心洁、陈洪生、黄倩倩老师和张华健同学为本论文的实验及最后阶段的器件制作给予了大力支持和帮助.

浙江大学硕士学位论文 I11 Abstract Silicon direct bonding(SDB),with its simple technology,excellent interface mechanical and electronic charaoteristics,has wide appHcation potentiality and prospects.Sincewhen it was first proposed,lots of researchers have given muoh interests on it.

浙江大学硕士学位论文 P1 第一章前言 81-1硅片键合技术研究概况综观电力电子器件发展的历史,自五十年代第一只硅功率可控硅整流器问世以来,功率器件不断得到发展,它的应用不仅迅速扩大到工业装备中,而且也已渗透到人们的日常生活中,随着应用范围的扩大,人们对功率器件的性能,尤其是对器件容量的扩大和反应速度的提高提出了越来越高的要求,从而应运而生出了许多采用新型结构和工艺制造的器件,如GTO、MOSFET、SIT、SITh、IGBT等.随着这些器件的发展及其功率和速度水平的提高,对硅材料也提出了更高的要求.目前硅功率器件衬底材料的制备方法主要有两种:三重扩散技术和外延技术.