[硅烷流态床CAD法制粒状多晶硅]

【硅烷流态床CAD法制粒状多晶硅】.pdf目录 摘要(I)第一章前言．第二章硅烷分解的基本研究．2硅烷分解的热力学研究.S2硅烷分解的动力学研究.第三章国内外多晶硅生产工艺的发展趋势及现状S3多晶硅生产工艺的发展概况.S3选题及研究方向第四章硅烷流态术CVD法制粒状多晶硅的基本原理 流态床的基本原理.S4硅烷流态床CVD法第五章用硅烷流态床CVD法制取粒状多晶硅S5实验制备.具有较好的可控性和重复性。硅烷流态床CVD法制取粒状多晶硅的研究结 果,证实了该法作为工业生产高纯多晶硅方法的可行性。采用该技术可连 续高效地生产高纯度多晶硅.同时,粒状硅的出现将使连续拉晶成为可能.我国目前多晶硅生产大多采用传统的西门子工艺,能耗高,效益差,硅烷 流态床CVD法可能成为我国多晶硅生产现代化的一项技术关键。本研究填 补了我国在半导体高纯度硅制造技术开发的一项空白。temperature distribution,gasdistributor and diluent.A goodoperatingpointforthepyrolysisreactionfound is 10 silaneconcentrationandabedtemperatureinthe vicinity of 640.Under these conditions,the deposition wouldbeprimarilyheterogeneous.
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