【金刚石薄膜CVD合成过程分析和电子束增强热丝CVD实验研究】.pdf

【金刚石薄膜CVD合成过程分析和电子束增强热丝CVD实验研究】.pdf

金刚石薄膜CVD合成过程分析和电子束 增强热丝CVD实验研究 徐月明 摘要 最近几年来LPCVD合成金刚石技术已取得很大的进展。本文介绍了金刚石薄膜的 某些性质和应用。对金刚石薄膜CVD合成过程进行分析,深入地研究了该过程中的几 个关键的问题。评述了近年来CVD沉积金刚石薄膜技术的发展概况。并介绍了LPCVD 沉积:金刚石薄膜的各种技术和工艺参数利用电子束增强热丝CVD方法以甲烷 和氢气的混合气体为原料在si衬底上生长金刚石薄膜。目录 一.导言 二.CVD合成金刚B薄膜过程分析 32.低压合成全刚石薄膜方法 1.全刚为合成的实验压域(P-T)相图 2.金刚己薄膜的合成方法 2.CVD合成全刚为薄膜过程(一)CVD合成金刚薄膜的基幸过程 g CVD合成金刚正薄膜的几个吴键环 书的选择/1 2.LPCVD合该全刚薄膜技术泽述(一)热丝CVD法(二)等离子体增强化学气相沉积法 三.电子束+增强热丝CVD生长全刚石薄膜实始 研电.实验装置和典型空验条件 1.实验装置 2.一导言 碳是心三和同素异构的形或存在:消晶魂.乃墨.金刚石 其中金刚石具有优异的宽学.热学.电学、声学心机械特性.在工 也上有其子泣的应闭前景。但天然全刚万对源诸量极少.满足 不了日益发展的二世技术的需要.只有采团人工合成的方法生多金 世 全刚万人工合成始于1954年.美国通用电甩公司首次闭1 镇剂催化剂在高压(16×10+atm)高温(2700℃)的条件下5 石墨为原科.静压合成出全刚名。我圆干1963拿成功地合成了 金刚名。三十多年来.高温高任合成金刚名技术已有很大进尽,历力 已降到5x10+atm心下.但是,高温高压法合成金刚石投赏大.生产黄用高.工艺条件要求芳刻.