【硅MISIL太阳电池模拟方法的研究与应用】.pdf

摘要本文提出了一种新的对MIS/IL太阳电池进行计算机模拟的方法,这种方法的特点是,通过在整个太阳电池区域内同时求解光照条件下的半导体的基本方程:泊松方程及两种载流子的连续性方程,获得太阳电池完整的伏安特性和其它有关的参数,这种方法的另外一个特点是在边界条件中引入了互作电流参量,从而与互作状态紧密相联系,可适用于在互作状态下对MIS/IL太阳电池进行模拟与分析.作为这一方法的应用,本文对AM0条件下的MIS/IL 太阳电池进行了数值分析,发现存在一最佳的衬底掺杂浓度,使得太阳电池的转换效率达到极大．本文还对 MIS/IL太阳电池的薄层电阻进行了分析,结果表明,MIS/IL

目录第一章综述 1-9 1硅MIS/IL太阳电池的发展 1-4 1半导体器件的分析与设计 5-6 1硅MIS/IL太阳电池模拟分析现状 8-9 第二章MIS/IL太阳电池的模拟方法 10-21 82MIS/IL太阳电池的基本五作原理 10-10 2MIS/IL太阳电池的一维模型 11-15 2MIS/IL太阳电池边界条件的确定 16-17 82模拟方法和数值解法 17-21 第三章MIS/IL太阳电池的模拟与分析 22-28 83伏安特性和电池性能参数 23-26 83.

1)在高温下,扩散层表面有很高的杂质浓度,当温度降低时,过剩的杂质原子析出,成为一定厚度的富含杂质层,而且其浓度不随深度变化,远远偏离了高斯分布或余误差分布,在这一层中存在大量的填隙杂质原子、位错和缺陷,使得少数载流子的寿命大为降低,这一层常被称为*死层,它的存在降低了太阳电池的光谱响应 2)由于重掺杂,半导体的能带边缘要延他,出现一个能带尾部使半导体的禁带宽度变窄,也会影响到太阳电池的转换效率一种可以避免上述向题的太阳电池是基于Schotty接触势垒原理[8]的金属一半导体(MS)太阳电池,图1-1为以型半导体作吸收体减反射—金属栅电极 —透明金属膜半寻体底电极