【各种材料上金刚石膜的成核和生长研究】.pdf

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目 帐 摘要 Abstract 1.低压气相法合成金刚石 2.化学气相法沉积金刚石薄膜技术述评 热丝辅助CVD过程(HFCVD法)等离子体增强CVD法 直流放电辅助CVD法 火焰法 激光诱导CVD法 3.金刚石膜研究的主要方向 4.金刚石膜的应用前景 5.本工作的特点 实验.实验装置 2.实验条件 3.热丝的碳化 结果和讨论 1.金刚石在W、Mo、Si上的生长特性 2.Cu衬底上金刚石的生长特性 3.SiO、AIO衬底上金刚石的生长特性 4.热丝形状对金刚石成膜特性的影响 5.基片预处理对金刚石成核密度的影响 6.结论 参考文献 致谢 附录.Abstract Becauseoftheexcellentproperties ofdiamond thinfilms,the synthesis ofdiamondthinfilmsbyvariousCVDmethodshavebeendevelopedrepidly in the recent years.As a fuctional material,diamond thin films have many important applicationsina variety of fields such asmechanics,optics and mi-croelectronic1.低压气相法合成金刚石 用低压气相法合成金刚石的方法很多,可分为化学气相输运法(CTR),化 学气相沉积法(CVD)等。化学气相输运法是在一密闭容器中充入H2,在容器 的一端放入一定量石墨并加热,另一端放入温度较低的衬底,利用密度差在衬 底上沉积出金刚石膜。此法难于操作,不易控制反应气体密度比及生长速率 低,因此采用得少.低压化学气相沉积法生长金刚石是在石墨处于稳态而金刚石处于亚稳态 的条件下进行的,它偏离了热力学平衡状态,而由到达生长表面的气体及样品 表面反应动力学所控制2。由于在石墨和金刚石之间存在很高的势垒,因此金 刚石一旦形成是很稳定的。