【金刚石膜成核特性及表面光滑超薄金刚石膜制备研究】.pdf
摘要 金刚石具有优异的特性,在许多方面都优于其他材料,如超硬,高热 导率(室温下是铜的五倍),高的电子迁移率(优于Si和GaAs),高的抗 腐蚀和抗放射辐照能力,在很宽的范围内有良好的光透性,掺杂后可以成 为半导体,因而在机械、光学、微电子等领域有许多重要而广泛的应用.目前LPCVD法合成金刚石膜已成为国际上热点课题之一,已经发展了多种 CVD金刚石膜合成过程可分为最初的成核阶段和随后的生长阶段。到目 前为止,CVD金刚石膜的成核机理尚不很清楚。
diamond films.Hence,at the nucleation stage the higher CH concentration can be used,but during the diamond film growth,With our research results,under good pretreatments and growth conditions,thesurface smooth ultra-thin diamond films(thinkness 500nm) on Si,Si02 and Al20swafershavebeen achieved,th
1.硅衬底上超薄膜的表面形貌、粗糙度和质量.光滑超薄膜上继续生长所得厚膜的特性 2.实验装置和生长条件.分析检测方法.三.结果和讨论 2.超薄膜的透光性 3.A120g衬底上超薄膜的特性.超薄膜的均匀性.本超薄膜制备方法的优越性.多孔膜 四.结论 参考文献 致谢