【纵向非均匀掺杂沟道硅恒流管的温度特性】.pdf

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符号表 a治金沟道半厚度电流 b)沟慧芪尽区迎界,即中性 L月分沟慈CRD工作电流沟道区边界 Ia零漏度系数工作电流 c相区税尽区边界 In 电子电流 Dn电子扩散系数 Jh 用子电流密度 E受主能 k BolczmannB发=1380x05张 Ec导带底 Ks 硅的介吧常数,=11 E:Ferm能级 L 鸿道长区 Eg禁带宽度 L 开明匀习CRD1区淘想 E价带损长度 F2阶Fermi-Dirac积分 L.非肉匀沟道CRDII区习.G。

引言恒漏是电子电路中经陷遥到的间题,住社习食器仪表的精度复密切关系。这就向器件工作者提出研制优质管流器件的恶颜.超易,收光是指在工作审压、员载和环原调度变化时厚持电流的位定。因此,一宁优质值离器件应具窝可的起始电压、大的最商工作电压和动态用抗、以反小的电流温度系数,即良好的温度息定性.硅恒流二根管(Silicon Current Rcgulator Drode,简款CRD) 是已定型生产多年的一种比成热的半导个何流混许。从当前国内外产品水平育,其Vs、POV、到等须参数指标一欧内能滴尺各q 电路要求,在应用中常可收创改蓄性脂、商化电路、提高守靠性的效裹,有著广泛的应B的意,