[锗酸铋晶体两端读出系统及错酸铋晶体阵列若干性能的蒙特卡罗模拟研究]许明康

【锗酸铋晶体两端读出系统及错酸铋晶体阵列若干性能的蒙特卡罗模拟研究】许明康.pdf摘 要 由于BGO晶体的许多优点如辐射长度短,Mo1iere半径较 小,性能稳定,不潮解等,这在第一章中作介绍,近年来对它的研 究已经很多了,但一般限于单端输出,可给出入射粒子的能量信息.我们对BGO晶体进行了两端同时输出的研究,以其脉冲幅度和表 示入射粒子的能量,其差表示入射位置,这样既可以得到入射粒子 的能量信息,同时又可给出入射位置.我们在第二章开始先对20××200 mm的BGO 晶体作一端输出研究,采用光电信增管作读出元 件,这样可以降低电子学噪声的影响,提高实验精度.接着进行了 两端输出实验,测出了入射Y光子的能量和位置,得到了小于2cm 的位置误差和小于6。Abstract For the advantage of BGO cristal,such as short ra-diation tength,small Motiere radius,stabitization and no air staking etc,recmnended in Chapter one,recentiy,a lot of sdudies have been done,but generalty,were onty tOne end output,energy message of incoming partictes canbegiven.错酸铋晶体两端读出系统及储酸铋晶体 阵列若干性能的蒙特卡罗模拟研究 引言 第一章基本原理 81、1电子一光子簇射过程 1、2闪烁体的主要物理特性 S1、3储酸铋晶体的物理性能 第二章BGO晶体两端读出系统的研究 S2、1一端读出系统 S2。2二端读出系统 第三章二种情形的BGO晶体阵列性能的Mote-Car1o模拟 S3、1簇射模拟程序包GEANT3、12简介 63、2GEANT程序及流程图简介 53、3能量响应模拟程序 S3、45.×10BG0阵列性能的模拟计算 S3:53×2及其后按圆柱形BG0阵.
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