[硅单晶片及其器件芯片的无损检测]竺树声

【硅单晶片及其器件芯片的无损检测】竺树声.pdf杭州大学研究生论文稿纸 摘要 本文在解剖、分析各厂生产的分立件及 集成电路芯片的基础上,采用红外电视测微显 微镜与质光分光光计无损地检测和分析了国 内外硅单晶片和管芯的质量,发现同产单晶 片在研席过程中引入的铁沾污以后它与氧在砖 体内珍成的氧沉淀治性因是引起器件与集诚电 路管总软去穿、漏电流大的三要原因之一,研 究了硅单品背面损伤屋的结构和氧沉淀活性闭 的形成原国,试验了利用化学烛法去除砼单 显背面铁沽汤、利用掺心氧他抑制氧沉淀活性 团形成工艺方法,并在半导体工厂应用了这 种艺,结果表明:对提高管志成品率、改喜背 面失過质是大有牌益.20×20=400 第P.杭州大学研究生论文稿纸 硅晶片辽其器件芯片的无损检测 录 一引言 二硅材料与器件的无损检测 2概述 22XCD-H红外电视显数测微镜 2,RF-540荧光分光光度汁 三半导体硅中某些杂质的基本性质 3氧在硅中的行为 3铁在硅中的基本性质 四选题依振及研空内容 五硅单晶加工引入铁沾污的元损检测 5硅单晶的无损检测 85检测结果的分析 S5铁沾污的去除方法 5RF-540荧光分光转汁的其它应用 85若干问题的讨论 六红外电视显微镜对器件生户线的监测 S6硅片表面抛光质量的检测 6对成品管芯的无损检测 20×20=400 第P.杭州大学研究生论文稿纸 一引言 随着半导体成电路技术的发展,器件图 形特征尺寸不断缩小,管芯面积不断增大。单 晶材料中的微缺陷如旋涡缺陷、失配位错、杂 质茶纹、氧破沉淀田等对器件的影响就越来越 大。特别是重金属东质”的沾污。它易在各种缺 陷处沉积、使本来不治波缺陷变成电治性极强 的缺陌,这样的缺陷在工芝中还会引起杂质增 强扩散,寻致P.N结漏电、软法穿。园此,一 些半导体材料厂和研空所都配置了价格昂贵的 厌谱仪等来检测单晶材料中微缺陷和重金属杂 质沾污。至今,直拉(CZ)单晶已达到无位错、重会属杂质含是小于1PPba。
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