【硅单晶片及其器件芯片的无损检测】竺树声.pdf

杭州大学研究生论文稿纸摘要本文在解剖、分析各厂生产的分立件及集成电路芯片的基础上,采用红外电视测微显微镜与质光分光光计无损地检测和分析了国内外硅单晶片和管芯的质量,发现同产单晶片在研席过程中引入的铁沾污以后它与氧在砖体内珍成的氧沉淀治性因是引起器件与集诚电路管总软去穿、漏电流大的三要原因之一,研究了硅单品背面损伤屋的结构和氧沉淀活性闭的形成原国,试验了利用化学烛法去除砼单显背面铁沽汤、利用掺心氧他抑制氧沉淀活性团形成工艺方法,并在半导体工厂应用了这种艺,结果表明:对提高管志成品率、改喜背面失過质是大有牌益.20×20=400 第P.

杭州大学研究生论文稿纸硅晶片辽其器件芯片的无损检测录一引言二硅材料与器件的无损检测 2概述 22XCD-H红外电视显数测微镜 2,RF-540荧光分光光度汁三半导体硅中某些杂质的基本性质 3氧在硅中的行为 3铁在硅中的基本性质四选题依振及研空内容五硅单晶加工引入铁沾污的元损检测 5硅单晶的无损检测 85检测结果的分析 S5铁沾污的去除方法 5RF-540荧光分光转汁的其它应用 85若干问题的讨论六红外电视显微镜对器件生户线的监测 S6硅片表面抛光质量的检测 6对成品管芯的无损检测 20×20=400 第P.

杭州大学研究生论文稿纸一引言随着半导体成电路技术的发展,器件图形特征尺寸不断缩小,管芯面积不断增大。单晶材料中的微缺陷如旋涡缺陷、失配位错、杂质茶纹、氧破沉淀田等对器件的影响就越来越大。特别是重金属东质”的沾污。它易在各种缺陷处沉积、使本来不治波缺陷变成电治性极强的缺陌,这样的缺陷在工芝中还会引起杂质增强扩散,寻致P.N结漏电、软法穿。园此,一些半导体材料厂和研空所都配置了价格昂贵的厌谱仪等来检测单晶材料中微缺陷和重金属杂质沾污。至今,直拉(CZ)单晶已达到无位错、重会属杂质含是小于1PPba。