【掺杂砷化镓液相处延材料的生长和光致发光研究】.pdf

浙江大学硕士学位论文摘要本文对掺杂砷化家液相外延材料的生长条件及其光致发光谱进行了探索和研究.对砷化液相外延层的物理参数的测量表明:影响掺杂砷化外延层生长的因素有:掺杂浓度、生长速率、回熔温度、杂质污染等,掺Si P型砷化家中Si的合适的掺杂浓度为1 m 01,掺TeN型砷化中当Te的掺杂浓度约为1 m01时表面载流子浓达到极大值.对外延片的光致发光谱的测量表明:掺杂砷化液相外延材料除了在1000nm以内有与杂质引起的施主或受主能级有关的发射峰以外,在大于10 00nm的长波段也有与深能级有关的辐射跃迁,这些杂质能级都是具有一定宽度的能级带。

浙江大学硕士学位论文目录综述第一章GaAs液相外延材的发光机和深能级 1PN结及特性PN结的结构GaAs中的辐射复合带－带跃迁复合 1浅施主(或浅受主)与价带(导带)之间的复合 1施主-受主之间的跃迁通过深能级的复合GaAs半导体材料中的深能级GaAs中的深能级分布.,1几种主要的掺杂剂在GaAs里的行为.第二章GaAs发光材料的液相外延生长外延生长液相外延生长液相外延生长方法和装置,2对外延层的要求,2衬底的化腐.

浙江大学硕士学位论文综述本世纪五十年代以来,半导体的研究不断取得新的成果,在晶体的生长工艺,半导体的物理性质等方面都积累了相当多的经验。1952年,J.R.Haynes和H.B.Briggs观察到Ge和Si的P-N 结的发光.从此,研究者们开始致力于半导体复合发光的基础理论研究和应用研究。并不断取得新的成果。自1965年以来,半导体发光二极管(LED)取得了飞跃的进展。由GaAs,GaP,Ga(As1-xPx),(Ga1-xAlx)As等半导体材料制成的发光二极管已正式投入市场,并有广阔的应用前景。