[激光表面化学-LCVD实验与理论研究]

【激光表面化学-LCVD实验与理论研究】.pdf浙江大学研究生学位论文 目录 中文摘要 英文摘要 1前言 2文献综述 2薄膜与CVD技术 8-2激光表面微化学和激光化学气相淀积 -11 2激光化学气相淀积技术的应用简介 -17 3实验装置及激光化学气相淀积的分析手段简介 -20 3实验装置 -20 3分析测试手段简介 -23 4激光化学气相淀积二氧化钛薄膜的研究 -28 4概述-28 4实验原理 -30 4激光化学气相淀积Ti02薄膜样品的制备 -30 4TiC1+02体系的Ti02的淀积研究 -32 4TiC1+C02+H体系的Ti02膜的淀积研究 -44 4.浙江大学研究生学位论文 用量子化学方法对氧在硅表面的吸附进行理论计算,是考察硅表面 氧化机理的一个有力手段,同时也可为研究激光表面化学的反应机理提 供另一条有效途径。我们用ASED-MO及SCC-DV-X。这两种方法计算了在 Si表面上氧的吸附与成键情况。计算结果表明,在理想的Si 面上,氧倾向于以原子状态吸附于硅表面上,吸附位置以桥位为最稳定,同时顶位也大量共存,原子簇的大小对计算结果的影响不大。而在再构 Si面上,氧则是优先在短桥位和顶位上以原子态吸附,而在其它 的吸附位上,则可能是分子与原子状态同时吸附。浙江大学研究生学位论文 The initial behavior of oxygen chemisorption on the ideal unreconstructed and reconstructed silicon surface has also been studied by ASED-MO and SCC-DV-Xa.methods using the cluster approach.The theoretical calculation results show that, on the unrestructed Si surface,the chemis
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