[含氮CZ-Si中氮的施主及其热处理行为]

【含氮CZ-Si中氮的施主及其热处理行为】.pdf目 一.摘要 二.前言 三．文献综述 1.传统CZ-Si中热施主、新施主的研究 2.氮引入硅中施主杂质能级的研究 3.氮对硅中氧沉淀的作用 4.硅中氮及其施主态的机制研究 四．实验 五．分析讨论 1.微氮硅单晶的特殊电学行为 2.氮施主热处理规律的研究 3.氮施主与热施主的关系-4.氮施主形成的可逆性研究 1)氮施主之不可逆消除 2)含氮CZ-Si热处理的红外分析 3)氧氮施主不可逆性状的微观机制 六.缺页硕士确究生论文“含氧CZ-Si中氮的施主及其热处理行为”ABSTRACT CZ-Si grown under low pressure Ar atmosphere is the almost perfect technologythatdevelopedfromthe 70thpared with that,the CZ-Si grown under1ow pressure nitrogen atmosphere has the advantage of greatly saving the product price and lowering the carbon impurit
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