[硷金属钠在硅表面吸附的光电子能谱研究]

【硷金属钠在硅表面吸附的光电子能谱研究】.pdf浙江大学硕士研究生论文 摘 要 对于金属一半导体界面的研究,无论是在表面科学理论发 展方面,还是在半导体器件实际应用领城,具有非常重要的意 义。关于Schottky势垒的理论解释,曾提出过不少理论模型,其中较为突出的理论之一是MIGS理论,本论文的主要内容是 围绕这一理论进行实验论证,运用同步辐射光电子能谱(SBPES)研究碱金属钠在不同衬底温度条件下,吸附于Si-7X7 表面形成的无序、(3X1)重构二种表面结构,通过测量8i(2P)体芯态能级的移动来得到Schottky势垒高度的数值,与MIGS 理论的预言较为符合一致.浙江大学硕士研究生论文 目 中文摘要 英文摘要 第一章光电子能谱 、引言 二、光电子能谱的光源 三、价带光电子能谱 四、芯态光电子能谱 第二章金属一半导体界面Sehottky势垒理论 一、理论发展的简短回顾 二、理论模型 1.Schottky模型 2.Bardeen模型.统一缺陷模型(UDM) 4.MIGS理论模型浙江大学硕士研究生论文 第一章光电子能谱 一、引言 研究表面结构与电子态的实验方法很多,相当大一部分方 法的基本思想是:用一束初级粒子(光子、电子、离子、中性 粒子、声子等)入射到固体表面,激发出某种二次粒子,探测 二次粒子的几个参数:粒子数、粒子的能量分布(能谱)或质荷 比(质谱),粒子数的空间角度分布、自旋,便可从中推断出表 面的有关信息。二次粒子为电子的那些探测方法称为电子能谱.以光子作为初级粒子的电子能谱称为光电子能谱。光电子能谱 是研究表面电子态非常有力的工具。
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