【铁电薄膜的制备和物性研究】.pdf

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目录 第一章、铁电物理基础 1-1、引言1-2、铁电体的临界特性 -1-3、铁电体的分类1-4、微观理论概述参考文献第二章、PZT铁电陶瓷的发展概况 2-1、引言2-2、PZT铁电材料的基本特性2-3、PZT铁电陶瓷薄膜的性能指数及对其能产生影响的因数2-4、PZT铁电薄膜的应用 113:2-5、本研究工作的目的和意义参考文献第三章、PZT陶瓷靶材的制备及物性研究 3-1、引言3-2、PZT靶材的制各3-3、实验结果3-4、结论参考文献摘要 近年来,铁电薄膜在国内外引起了人们的极大的关注。铁电体有很大的和可 调的剩余极化强度,大范围可调的介电常数,优越的压电、热电及光学特性,可 用它制成各种高性能的器件,如永久性存储器、光调制器、铁电-光学器件等。特 别是用PZT(Pb(ZrTi)O)薄膜制成的存储器,克服了块体铁电存储器工作电压 高,阙值电压不稳定,以及比之大块材料作为显示器件的区域小等弱点,而且具 有高速、长寿命、低功耗、高集成度、重量轻以及抗辐射等优点。在民用工业、军事应用上均具有很大的应用前景,特别是在航空航天等方面具有特殊的应用价 值.本文首先概述了铁电物理和PZT铁电薄膜的发展概况以及PZT薄膜的制备方法。Abstract Recently,extensive research is being carried out on ferroelectricthinfilmsbecauseof theirpotentialapplicationsin electrical andoptical devices suchas memory and switching.infrared sensor,electromechanical transducer and sensor, and optical modulator and switch.Especially,PZT(Pb(Zr,Ti.