《乙炔在平坦及有台阶Cu111Pd111表面的化学吸附理论研究》属于科技工程资料。页面整理了该资料的基本信息、扫描页示例和数字版本获取说明。本数字文件共45页,文件大小约4.74MB。
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- 专题
- 乙炔在平坦及有台阶Cu111Pd111表面的化学吸附理论研究
- 类别
- 科技工程
- 页数
- 45页
- 大小
- 4.74MB
【乙炔在平坦及有台阶Cu111Pd111表面的化学吸附理论研究】.pdf目录 摘要(中文)摘要(英文)第一章文献综述参考文献第二章研究方法及模型.第一节 化学吸附理论概述第二节 计算模型) 参考文默第三章乙炔在平坦Cu及有台阶Cu表面的吸附理论研究 第一节C2H在平坦Cu面上的吸附 第二节C2H2在有台阶Cu表面的吸附第三节结论参考文献第四章乙炔在Pd和有台阶Pd面的化学吸附理论研究第一节C2H2吸附于平坦Pd表面ABSTRACT GlobaloptimizedAtomSuperpositionElectronDelocalization-DiscreteVariationalXa(DV-Xa)methodshavebeenemployed to study the adsorption of CHon theCu,Pdand the stepped Cu,Pd surface.Our results show as follows:On the flat Cu(1l1) surface,two stable configurations are found实验上,对于表面缺陷有许多表面技术可以应用,如STM、LEED、REM、RHEED、LEEM和X-ray等等。用这些技术可 以研究缺陷的形态、组成、缺陷间的相互作用、缺陷和吸附质间的 相互作用等问题 理论计算研究方面:有人用KeatingStrainEnergyMethod[5]、TransferMatrixMethod[6]、EquivalentCrystalTheory[7]及各种分子 轨道方法来计算各种缺陷的形成能、缺陷间的相互作用等。
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