【界面态中的热激电流方法】.pdf

浙江大学研究生毕业论文用纸目亲摘要 Summary 符号说m 弟工部兮引言一。界万态研究的意义二.界万态研究史的回顾弟耳部分界万态形成机理的探讨 Tamm表万态二.悬排对表万态的影响三.有效质男模型四.离子—电子模型五。氧失配模型争Ⅲ部分界万态的测试方法几种主要的方法.

浙江大学研究生毕业论文用纸摘要在分析了几种主要的界万志形成机理以后,我们拦云了一个简单的样型,并用它解释了部分界口怎的性质。我们用没有温没控制仪的简易的热激电流装置测另了 n型M0S结构的界万态,根据实测结果对升温迷本张了分性的近似,并推寻了由I、T求N、Et的公式。闲计实机处理了测男结果。这种简易热激电流法形江结果与怪空线性升温法江列的结果很好符兮.我们还兮析了阝、反偏电压对测男的影响以及如何送择及偏电压讨论了分历我性升温法引进的误差和这种测试方法的测男范围.

浙江大学研究生毕业论文用纸第工部分引言为方态研究的意义自从事三代电子元体—集成电路和碰手万四仲问去一来,碰成为一种用途刀益广泛的丰寻体材料。但是由于硅表万前格周期场的突然终止,在硅表古形成了许多电子态。通常用热氧化的方法在硅表万生长一层层,此来降低表万态和掩蔽杂质的扩散。但些S和SiO之间总还些或多或少比存东着一些由各种因素引起的电子态,这些电子态一般称为学万态.万怎些一种固空他电子能忘。它的存在对表万四体他各项参故及口体性他的寂定性育很大的影 m向.金属一氧化物一丰寻体(M05)场效应四体兰一种典型的表万四体。表万状志对其指性和空性的影响极为买级。