【块状多晶硅的电导特性】.pdf

浙江大学研究生毕业论文用纸录 B多晶硅膜电导特性大沉和条件的关你一-23 C多晶硅膜电学特性的改变控制—一一24 目多晶硅电导特性研究的回顧和現状 B占以前研究结果的比较 A实验和理论模型一 A一般孜虑 B样品制备 C两探针測试晶粒结的現察亚实验结果一 A理论模型 C实验中的有关问題摘要引言 Ⅱ实验 IV讨论—-V结— 参孜文献

浙江大学研究生毕业论文用纸早在开始研究单晶错和硅的同时,多晶的性能就已经愛到人的的泣意。多晶材料是由晶界連接起來的一些小单晶体的泪成。虽然晶界厚度比小单晶只寸小得多,然而都具有更如严重的不完繁性。显然,由于晶界的作用,同多晶材料在电学性能上单晶材料有很大的差别。然而,由于晶粒界結的复來性以及多晶抖尚无实用价值,可一开抬人们的注意力都集中到单晶上去了,对于多晶(早期是双晶)的研究就显随着半孕体四件的发展,多晶村抖的应用和理问是又提了出來。

浙江大学研究生毕业论文用纸阱态实度。Se加报道了在硼注入的多晶硅膜中,晶界的陷阱态实度约为 3x1o.cm;Yochihara寸人在确注入和礴注入的多品硅膜中,陷阱志它度分别为3x1ocm²和5x10²cm²而Seager寸人别报道了阴态出度在禁帶中部附近呈指分布,其分布函为M(E)=1x10exP(E/0099)cmev.以上让例举的实验结果都是研究多晶硅薄膜及让同到的敢据。虽然Seager寸人曾试冬对块状多晶硅进行电导特性的測试,然而却有取同成功.东文研究的是块状多晶硅电孕性杂浓度的关你。