【垂直导电型MOS功率晶体管新结构的探讨及其电流电压特性的研究】.pdf
浙江大学研究生毕业论文用纸 目录 内容 页次 本文摘要 前言(一)垂直导电型 U型槽结构(VUMoS) MOS功率晶体管结构研究和田 件参教物理模型讨论(二) VUMOS 功率晶体管的研制情况 介绍(三)非均匀掺沟道 MOS 晶体管电 流电压特性的分析 结束语 致谢 英文摘要 附录一:硅晶面上 U型槽的 形成及其几何特性的研究 附录二:VUMOS结构功率晶体管 工艺流程和工艺规范(试制) 附录三:采用双重扩散工艺的 VVMOS和VUMOS结构晶体管的非
浙江大学研究生毕业论文用纸 本文摘要:本文提出了一种采用硅晶片制作的 新型的重直导电型U型槽MOS功率晶体管(VUMOS),可以制作比VVMOS结构功率晶 体管具有更高四件密度。更小栅极电容的 M0S功率晶体管.首先对VUMOS功率晶体管的四件结构和 工艺流程进行说明对它的参数物理模型 进行了分析和讨论.这类垂直导电型MOS功率晶体管具有非 均匀掺的短沟道,本文对其电流电压特 性进行了分析。讨论非均匀掺亲沟道M0S 晶体管沟道区中耗尽层电荷,反型层电荷 以及半导体表面势与掺亲浓度之间的相互 变化关系,得到了非均匀掺沟道区中反 型层电荷与掺浓度的近似表示式。
浙江大学研究生毕业论文用纸 晶面上U型槽的形成及其几何特性的研究 归入附录一,双重扩散工艺形成的VVMOS 和VUMOS结构晶体管非均匀掺短沟道杂 质分布与近似达式归入附录三,几掺 亲分布为指数分布的非均匀掺短沟道MOS 晶体管沟道区的來浓度的计掠归入 录四。