【高频辉光放电无定形硅氟合金的制备及某些性质的研究】.pdf
浙江大学研究生毕业论文用纸 高频光放电无定形硅合全的制备及其些性货的研究 导师丁子上 耐究生丁宇权(浙江大学) 摘 要 本文主要论述不含的无定形硅最合全(a-SiF)的 制备方法及它的某些性真。αSiF合全是在S后气 或Si后+AHr混合气中用高频辉光放电法制备,这 是用高類輝光放电法制备不含氢的αSiF合全的初次 报道。车文首先讨谕了苦膜中赢含量和沉积速率与 主要沉积参数的关系,虽且讨论了氧对沉积的影响.然后对α-SiF传膜的导电性、肖特基势垒、红外光谱,线行射和电子行射,传膜的形貌及热穩定性等性 真进行了研究。
浙江大学研究生毕业论文用纸 92-7电镜 §2-8传膜厚度 三.结果和讨论 §3-1a-Si:F传膜的无定形结耕 3/3-2a-Si:F合金的制备条件 了-2-1a-Si:F萨膜中最含量与沉积条件的关系 93-2-2a-SiF传膜沉积速率与沉积条件的关系 了-2-了氧对沉积的景响 §了-了a-siF合全的导电性 了-3-1无定形半导的导电性 3-了-2测试结果 3-4Au与 a-Si:F传膜的肖特基势垒特性 §3-5a-Si:F传膜的红外光谱性负 §3-6α-SiF 传膜的形貌特性 §了-6-1开形之貌 53-6-2沉积机理的研究 §3-7a-si:F传膜的热穩定性
浙江大学研究生毕业论文用纸 插图目录 图1无定形硅 P-n结电流-电压曲线 图2模拟的A-1太阳光照下电流一电压特性曲线 图3三种肖特基势垒在正向偏压下的I-V特性曲线 图4有Zr02抗反射膜的P肖特基势垒电他的电流-电压特性曲线 图5肖特基势垒太阳电他的结树 图6光放电a-Si和单晶硅光学吸收系数与波長的关系 图 7a-Si:F:H和 a-Si:H的势垒寬度WB与費米法级的关系 图三中心钻状态在禁带中的位置 图9高频輝光放电a-SiF合全沉积I艺流程示意图 图10实驗室制备SiF4I艺流程示意图 图11电极结耕 图12金居—a-Si消特基势垒结耕示意图 图13α-Si:F合全的x射线行射谱线