【高频辉光放电法制备a-SiOH薄膜的研究】.pdf
浙江大学研究生毕业论文用纸 高频辉光放电法制备α-Si:(9,H)薄膜的研究
浙江大学研究生毕业论文用纸 录 一、引言 真码 §11.Q-Si:H薄膜的发展概况及a-Si:(o,H) 薄膜的研究现状 312本研究的目的与依据 二、基本理论 §2.无定形半导体的能带理论 §2.无定形半导体的导电机构 §2.光电导(op) 3.低温等这子条件下反应的基本特 征 三． 实验 33.α-Si:CO,H)薄膜的制备系统 25 §32.沉积参的选择 §33.
浙江大学研究生毕业论文用纸 五、结 结束语 参考文献目录 附录:利用出度数据用加和法则对α-Si:(O,H)薄膜的氢含量的計标