【半无穷大样品中非均匀光注入条件下寿命测量的若干问题】.pdf

浙江大学研究生毕业论文用纸半无穷大样品中非均句光注入条体下寿命測量的若干问题

浙江大学研究生毕业论文用纸目条一、引言二、光电导衰滤法的研究概述 2寿命的定义 2光电导衰减法测量寿命的基本愿理和读数方式/3 连续性方程片状和条状样品中的非平衡载流子 2 空间分布与表面复合修正 2 半无穷大样品中的非平衡载流子空间分布与表面复合 2寿命对于非平衡载流子浓度的依赖关第,注入比的估计问题,三、半无穷大样品中的非均有光注入及其处理方法四、实验才法 -46 五、数值计弱中的几个问题 5.

浙江大学研究生毕业论文用纸一、引1 言非平衡少数载流子寿命是半导体的主要物理参数之一,硅单晶的少子寿命已被列为它的一项常规电性能测试参数.少子寿命这一参数的重要性主要表现在以下几个才面:二极管、双极性器体、光电器体等半导体器体的工作原理都是基于少数载流子的散效应,而扩散长度取决于少子寿命。少子寿命对于器体的正向压降、反向电流、电流增益和开关度等特性都有很大影响.由于材料的少子寿命取决于单晶内部杂质和晶体缺陷的种类、密度和能放位置以及它们之问的相互作用,一般称其为“结梅灵敏”的参数。