[半无穷大样品中非均匀光注入条件下寿命测量的若干问题]

【半无穷大样品中非均匀光注入条件下寿命测量的若干问题】.pdf浙江大学研究生毕业论文用纸 半无穷大样品中非均句光注入条体下 寿命測量的若干问题浙江大学研究生毕业论文用纸 目条 一、引言 二、光电导衰滤法的研究概述 2寿命的定义 2光电导衰减法测量寿命的基本愿理 和读数方式/3 连续性方程 片状和条状样品中的非平衡载流子 2 空间分布与表面复合修正 2 半无穷大样品中的非平衡载流子 空间分布与表面复合 2寿命对于非平衡载流子浓度的依赖 关第,注入比的估计问题,三、半无穷大样品中的非均有光注入及其 处理方法 四、实验才法 -46 五、数值计弱中的几个问题 5.浙江大学研究生毕业论文用纸 一、引1 言 非平衡少数载流子寿命是半导体的主要物 理参数之一,硅单晶的少子寿命已被列为它的 一项常规电性能测试参数.少子寿命这一参数的重要性主要表现在以 下几个才面:二极管、双极性器体、光电器体等半 导体器体的工作原理都是基于少数载流子的 散效应,而扩散长度取决于少子寿命。少子寿 命对于器体的正向压降、反向电流、电流增益 和开关度等特性都有很大影响.由于材料的少子寿命取决于单晶内部 杂质和晶体缺陷的种类、密度和能放位置以及 它们之问的相互作用,一般称其为“结梅灵敏”的参数。
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