【用激光诱导掺杂法在高纯P型硅上制备低温欧姆接触】.pdf
浙江大学研究生学位论文用纸 P 摘要 低温霍尔测量是分析高纯碰质量的有效 方法之一。如何在高纯碎上制备低温下仍具有 丧好机械强度的低阻欧妞接是实现这一测 量方法的天键。父章在综逆欧她接触理纶,离 纯破上欧妞接触理他和各种接触制爸方法 的基础上,提击采用激光诱导掺杂法结合简 单细焊拔求在高纯P型碰上制备低温随遒 欧她接触,并系统研宽了各种因素(包括样品 表面处理方法,扩散流种类,抄散流涂层原度.激芜脉肿冤被,激光融量爱度以及激光诱导苦 双数)对YAP激光诱辱区性质的影响和对银焊金 一半接触低温欧如特性和比接电阻的影响关 系。
浙江大学研究生学位论文用纸 P 目录 绪言 I基本理论 S1全一半接触势垒 E 通过金一丰接触能载流子输运机理 3金一丰欧如接触 34比接融电阻 35金一丰欧如接触区域的形状和面秋对 Pc值的影响 36影响c值的其他因素 理他比接触电阻表达式娇杂液发的影响 β势壁高度的影响 4温度的影响)随适有效做量的影响 I高纯P型硅上低温欧如接触 1高绝硅上接触区域表面的浅.重掺杂 层好全一丰接触性能的影响 红以局部表西的浅.
浙江大学研究生学位论文用纸 P.Ⅲ M—2关于脉肿宽度的影响 W-3关于自由振荡输击时能量密度的 影响 TI-4灵于调α输击时能量密度的影响 和三种抄散源的依用情晚 82.W-5关于诱导掺杂次数的影响 T一G天于涂层厚严仙影响 卯一7天于离子浮入一激光适头接触 W一8关于细合金化对接触电阻的 影响 I关于译价欧妞接质量的谎明 结它 104 致谢 10g 参考反献(附录一)欧妞接触比接触电谁(Pc)的测量(附录=)激光浓相诱导掺杂区表面杂质浓度 和杂质浓护的深度分布的测量和计林(附录三)另佛压下耗尽层宽度的牛林(附录四)涂膜工艺(P附录五)诱导区表面温升,热容深度及熔体存 在时间计