[掺Te的InSb-NiSb共晶组组结构及磁电性能研究]

【掺Te的InSb-NiSb共晶组组结构及磁电性能研究】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸 P 摘 要 利用 Bridgmm垂直单向凝固方法,在温度 样度 G=125 ±3c/.下 制得 3 掺 Te 的 Lsb-Nsb 共晶多合 材料,并从以下几方面对其组织结构及磁电 性純进行了研完.测定并讨论了凝因违发R和Nsb维间路 入以关亲得出:AR=0x1o-0cm/sec,符合 Tuler-Jackson x²R=C的关系。-5同择温友样发下未Te的hsh -Nisb共晶AR=ox1o-cm/ee比较,掺 Te后,常数 C 变大.常温下,测出磁场 B -5 磁阻效应的 天系。浙江大学研究生学位论文用纸 P Abstract Te doped Lsb-Nesb entecic composites were maole with Bridg-manmethodunder temperaturegraolient G=125±s*c/mat different solidificatirn rates,and their microstructures ond galvanomagneti effects were stnodied im followinrg ospects.浙江大学研究生学位论文用纸 P.I 目录 1.引言.文献综达及选题.一.Lasb-Nisb共晶复合 材料国外研究妆况.二Lsb-NSb共晶复合材料国内研究状况.三选題反意义 -l.3 研究方案和理论依据.一要研究的问題.二基本理 1(一>疑国学实验的理基础 7.Lsb-Ncsb共晶单向凝固形态 -17.共晶凝国速度 R过冷度AT 与纤维间距入的关系 19.杂质对固过程的影响.Lsb-Nsb共晶复合材料磁电性能 实验的理基础.载流子迁移率与电导率 霍尔效应 26.
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