【充气CZ-硅中的氧碳分布及其关系的研究】.pdf
浙江大学研究生学位论文用纸 P.i 本文研究了无位错硅单晶中氧.碳分布 及其关余的问题。当晶体转速实然变化时,硅中氧、碳的轴向分布随晶转突变有相应的 跃变。氧的变化决定于熔碰的流动状态随晶 转的变化。而碳的跃变则是由于有效分凝象 的变化引起的。两者相互独立,不能用氧、碳含另的平衡来解释.在比过程中,梅一定的程序适当控制晶 转和转,得到了轴向宏观氧浓均匀分布 的单晶硅。氧含号控制在一28 PPmA范围内.而碳的分布,从头到尾,逐渐如如,符合B.P.S模型。由于有效分凝象蚁随晶转有变 化,采用上述简单的生氧工艺,也能使晶体 头部相对低碳凶的长度以长。
浙江大学研究生学位论文用纸 P 目录 第一章,前言 一.C汉硅中的氧.碳杂严 1.硅中的氧 2.硅中的碳 二.硅中氧碳的来沉.分布及控制 8 1.氧的来、分布及控制 -8 2.碳的来况.分布及控制 -14 三.选题依据 -22 第二章、实验与结果 -25 一、实验过程 1.改变晶体转速 -25 2.等氧生长 -26 二.取样 -29 三.测试 1.Fourier变换红外光谱仪死理 -30 2.红外法测硅中氧碳含易的觅理3.具体测易步骤 -35 四.实验结果 -37 1.
浙江大学研究生学位论文用纸 P 第一章:前言 半导体硅单晶是电子之业的至要基磁材 料。已被广泛地用于集成电路和功率器件的 制作。随着器件技术的发展和要求,极大地 促进了硅单晶生长技术的发展。在我们今天 的会里,如果说是钢铁给示了強壮的助力 和骨架,则是硅提供了它所需要的生命力和 大脑.正如阿部孝夫言:“1958年前后,硅单 晶生长的方法的理和评价手段的发明和发 展已基本完成。其后的时间则是为了满足硅 电子工业的需要,用记法和任法实现硅单晶 大易生产和大直径化的历史。自从 Teel和 FHeuerer等人发明了硅单晶的仅生长法“及高 纯多晶硅生长栽术的发明。