[非掺杂砷化镓液相外延伸氧硅行为研究]

【非掺杂砷化镓液相外延伸氧硅行为研究】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸 PI 致谢 本文工作是世导师端麟救授,王明华 付教指导下完的。从论文的选、实验 安排,直至论文的与作过糕.受到了端麟 教后,王明华付教授的悉心抬寻.世此表 亦衷心的感谢。茫论文工作过程中守南辛付 教心站了我许多指手心帮助、对沦文的与 假了许多有益的些议、对此深表感謝。康 晓黎师迁论文实驯过粒中给子了不少帮助 和有益的讨论,为此表亦谢意.本文工作是世元线电系光电子学教研室 夺文工作还受到半导体材料研究所各他老师 尤其是沈复冬师的努助,出此向若传冬 崛表不愁谢。浙江大学研究生学位论文用纸 Td 短时间的光溫、恒温过程不足以消除这些沾 污。控看延层的电学性质。在实验程 序二中,载流子浓度随烘源时问如而降低 直至三十小时仍有下降的起势。较好的数抵 是(1.2)x1cm.程序一、=结果都表明。载流 子浓度与所用的派材料无明显关系,其纵向 分布上也都表现如表面浓度低于界面处的载 流子浓。二次离子质谱國谱表明外延层明 显含有Si茶质。经分析与实验结果比较,不文杀伴下,起施主的S与起受主的S大致 相同,因此Si对外延层载流子浓度及其纵向 分布都有明显影响。是外延居的主要 电世杂质,主要来源于G液中的GuO、以 石墨舟上吸附的气和水汽。浙江大学研究生学位论文用纸 P.V purged enough in shortbakeout.Intheexperiment(Il),carrierconcentrationisdecreaseswithincreasingarcum- ulatedbakeouttineevenfor3oh.Carrierconcentration rce GaAs to the carrier concentrationhasrtheenseen either experiment(I)or(Il)
———— 文字由OCR识别(未校验)，可能存在错字；请以原始完整版为准。