【非掺杂砷化镓液相外延伸氧硅行为研究】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸 PI 致谢本文工作是世导师端麟救授,王明华付教指导下完的。从论文的选、实验安排,直至论文的与作过糕.受到了端麟教后,王明华付教授的悉心抬寻.世此表亦衷心的感谢。茫论文工作过程中守南辛付教心站了我许多指手心帮助、对沦文的与假了许多有益的些议、对此深表感謝。康晓黎师迁论文实驯过粒中给子了不少帮助和有益的讨论,为此表亦谢意.本文工作是世元线电系光电子学教研室夺文工作还受到半导体材料研究所各他老师尤其是沈复冬师的努助,出此向若传冬崛表不愁谢。

浙江大学研究生学位论文用纸 Td 短时间的光溫、恒温过程不足以消除这些沾污。控看延层的电学性质。在实验程序二中,载流子浓度随烘源时问如而降低直至三十小时仍有下降的起势。较好的数抵是(1.2)x1cm.程序一、=结果都表明。载流子浓度与所用的派材料无明显关系,其纵向分布上也都表现如表面浓度低于界面处的载流子浓。二次离子质谱國谱表明外延层明显含有Si茶质。经分析与实验结果比较,不文杀伴下,起施主的S与起受主的S大致相同,因此Si对外延层载流子浓度及其纵向分布都有明显影响。是外延居的主要电世杂质,主要来源于G液中的GuO、以石墨舟上吸附的气和水汽。

浙江大学研究生学位论文用纸 P.V purged enough in shortbakeout.Intheexperiment(Il),carrierconcentrationisdecreaseswithincreasingarcum- ulatedbakeouttineevenfor3oh.Carrierconcentration rce GaAs to the carrier concentrationhasrtheenseen either experiment(I)or(Il)