【硅111功函数研究及高阻硅载流子浓度测量】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸 iP 《Sic)动函数研高阻Si载流子浓度测量》一.引言 1研先功函数意义 2研先功函数的一些主要实验方法 3 Si有天功函数研先的一些结果 4本课题及研发意义二实验原理及理论分析 1能带弯曲及其测量川表面乏间电荷层的形成书能带弯曲 2)表面老电飞与能带弯曲的量 2功函数半手体载流子浓度什 21)非简开丰寻体载流子浓度升 2)利用功函数计高世载流子次度三没备及实验 1.起高喜气统 2.AES的主要耕造α性陆 3.kelvin-o5制器 4.高温退火装置 5.样品处理 b.

浙江大学研究生学位论文用纸 iiP.摘要我们采用kelv:n的cPD 测量法研发了 Si(m)清法表面的功函数好大多数文献报手的在起高真气气中解理来获得Si清法表面的才法不同我们手用氣离子轰击加退火(IBA)的方法来获得清法表面。生IBA 处理后,我们发现Si(1表面能带无弯曲我们心研气了 AES(俄歇电子能谱)电子束照射及起高喜绕中残全气什了N型和P型高阻的载流子浓度。

浙江大学研究生学位论文用纸 2P.法:1光电子发射值法在光电子落中有确乏能量的光子入射被样品吸收而使其内电子被激发逸生表面然后在喜气中分折发射出来的电子能谱从能量手可以知道如果电子初态能量是E:(以E为零汁持)光电子动能是Ek(E;=E-u+其中中是功函数上式表明E;E只差一常数所以只要将以E为横坐样的能量布曲线EDC的横坐标零移一下使可将横坐样改为表手E;这对舍属样品情也就是正的零便正确地定好了。这里正都是员值.图2.为一光电子能在低能端有一阙值E。