【室温下单晶硅中氮含量的红外光谱定量分析及软件】.pdf
P.A-1 浙江大学研究生学位论文用纸 本文研完了红外吸收光谱峰面积法定量分 析方法,并首次将其应用子硅中氣杂质的定量分析.同时在Nicolet17osx付里叶红外老谱仪上突玩了 蜂面积法的基线取法与传统的峰高法不同.与后者相比,其优点是:可以减少晶格吸收,自由栽流子吸收与硅比表面粗糙等的影响。峰 面积法是追过别量吸收蜂一定压问里基线以上 巨域的积分吸以率来决定杂质的含量,而不是 余峰高法那样量取峰高。同时由子使用了高 数精度的付里叶红外光语仪,与峰高法相此,2.试样别备可便。
P.A-3 浙江大学研究生学位论文用纸 Room Temperature Nitrogen Determination in Single-CrystalSilicon by Infrared Spectroscopyand the In this paper,a quantity analysis method for deter-mination of impurities in sibyIRabsorption peak integrated areahas been studied,and the method was firstlyapplied to determine nit
P.I 一A4 -9-16-26 -34 浙江大学研究生学位论文用纸 录 1氨在硅中的结合形式- 1硅中氣的一些基本性质- 51硅中氨的基本物理参数- 12硅中氨的电学性质-一 12了硅中氮的浮能级- 1硅中氨的行为及与 其他杂质的作用一— 1半导体中华质的红外光语分析第二章红外吸收光语分析半导体 中杂质的基本原理一 21半导体红外吸收光语 的基本原理- 32硅中杂质红外吸收光谱 定量分析的基本原理 2付里叶变换红外光谱仪原理目 2.