【单晶硅张晶面翘曲和微结构的X射线及电镜研究】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸P 摘要本文利用对浅行对和电镜行约技术,晶对浅行对仪和单晶体的结构特性,通过测是硅比表面和行对晶面的偏差角沿径向的分布,米描述硅晶比晶面的翘曲。实验利用不同生产了,不同直径,不同加工处理的单晶硅电做样品,都证实了单晶硅比的晶面在晶体边缘发生了翘曲;并且,随晶体直径的增大,晶面翘曲程度和翘曲区域都有所增大.SEM和TEM的研究表明,晶面在晶体边缘的翘曲和其它因素一起,严重影响了硅比边缘的晶格完歪性,使之有应力集中,并可能存在微裂纹苦晶体损伤。

浙江大学研究生学位论文用纸P.亚 Forthermore.this paper discussedthe reason of thewarpofcrystalplaneandtheresul.tscaused by the plane.warp.Atlast,paper analysed the phenomenon that the oxidation of the silicon su-rface was caused by the electronic beam in TEM,andpointedoutthattheresultoftheelectro-nicbeamtooxide

浙江大学研究生学位论文用纸P．！一(2 人类跨入二十世纪以来,科技猛发展,广播、电视、电讯及电子汁标机广泛地运用于生活和工作的各少方面,从而使社会进入了信息时代。作为信息,技术基础的半导体材料[川,兄疑起着重要作用,和人类的进步休戚相关.1950年,帝用t七斯基(C)法拉出硅单晶川来[2),由子硅材料原料丰富,禁带宽度适中,器仲能在较高的温度下使用,容易形成稳定的氧化膜独特的仇点,使它在半寻体领城占有极重要的位置,目前硅器件产值占歪勿半导体器件产值的98。[3]。亿+年来,为了满足各种器仲的要求,显著是高硅材料质号,新工艺、新没备、新结构不断涌现。